Neo Semiconductor lanza 3D X

El productor de flash 3D NAND con sede en EE. UU., Neo Semiconductor, está lanzando sus chips de memoria 3D X-DRAM que se dice que son los primeros DRAM tipo 3D NAND del mundo con capacidades mucho mayores que las soluciones 2D DRAM actuales. La primera iteración de la tecnología 3D X-DRAM puede alcanzar una densidad de 128 Gb con 230 capas por chip, 8 veces más que los chips 2D DRAM actuales. Neo Semiconductor cree que esta solución puede escalar más fácilmente y es menos costosa de implementar en comparación con otras alternativas de DRAM 3D, lo que la convierte en una sólida candidata para reemplazar la DRAM 2D en un futuro cercano.

La ventaja de la tecnología 3D X-DRAM radica en el uso del innovador diseño de celda de cuerpo flotante (FBC) que almacena datos como cargas eléctricas usando un transistor y cero capacitores. A diferencia de otras alternativas de 3D DRAM que intentan generar nuevos diseños más complicados, 3D X-DRAM aprovecha los procesos 3D NAND maduros de la actualidad, por lo que solo requiere una máscara para definir los orificios de la línea de bits y formar la estructura celular dentro de los orificios. Este enfoque puede simplificar en gran medida la producción, la implementación y la transición desde la DRAM 2D.

Neo Semiconductor ya publicó todas las solicitudes de patentes relevantes con el USPAP el 6 de abril de este año. La compañía está decidida a impulsar la industria para 3D X-DRAM como una solución necesaria para la creciente demanda de memoria de alto rendimiento y alta capacidad provocada por los rápidos avances en IA. Según las estimaciones de Neo Semiconductor, la capacidad de memoria podría duplicarse a 256 Gb para 2025, mientras que las capacidades de 1 Tb podrían ofrecerse en una década. Se publicará más información en la Flash Memory Summit el 9 de agosto de 2023.

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Neo Semiconductor

a través de DigiTimes

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